සිලිකන් කාබයිඩ් තහඩුව ද්විත්ව මතුපිට ඇඹරුම් යන්තය විසඳුමක්

යන්ත්‍ර ආකෘතිය: YHDM580B ද්විත්ව තැටි ඇඹරුම් යන්තය- චක්‍ර ඇඹරුම් ක්‍රමය

වැඩ කොටස: සිලිකන් කාබයිඩ් තහඩුව (SiC)

අවශ්‍යතාවය: 7.150±0.002mm, සමතලා බව/සමාන්තරවාදය 0.01mm, රළුබව Ra＜0.9

සිලිකන් කාබයිඩ් (SiC) යනු යාන්ත්‍රික, තාප, විද්‍යුත් සහ රසායනික ගුණ ඇති අකාබනික ද්‍රව්‍යයක් වන අතර, එය සංවර්ධිත කර්මාන්තවල බහුලව භාවිතා වේ. කෙසේ වෙතත්, SiC සෙරමික් වල ඉහළ දෘඪතාව, ඉහළ ශක්තිය, ඇඳුම් ප්‍රතිරෝධය, අතිශයින් බිඳෙනසුලු බව සහ රසායනික ස්ථායීතාවය වැනි වාසිදායක ගුණාංග, සාම්ප්‍රදායික හා සාම්ප්‍රදායික නොවන යන්ත්‍ර ක්‍රම හරහා SiC යන්ත්‍රෝපකරණ දුෂ්කර හා මිල අධික කරයි. දියමන්ති ඇඹරුම් රෝදය ඉහළ MRR නිපදවයි, මතුපිට රූප විද්‍යාවට සහ නිමාවට බලපාන්නේ නැත. SiC හි ඇඹරුම් කාර්ය සාධනය අතරතුර රෝදයේ සහ වැඩ කොටසෙහි ද්‍රව්‍යමය ගුණාංග මතුපිට රළු බව පුරෝකථනය කිරීම සඳහා වැදගත් සාධකයකි. පරිගණකගත සංඛ්‍යාත්මක පාලන ඇඹරුම් යන්ත්‍රයකදී ලෝහ බන්ධන දියමන්ති මෙවලම් භාවිතයෙන් අඩු ප්‍රේරිත හානියක් නිර්මාණය විය. ක්ෂුද්‍ර ව්‍යුහාත්මක විෂමතාවය සැලකිය යුතු ලෙස SiC හි කැණීම් සහ ඇඹරුම් අනුපාත වැඩි කරයි. ගතික අස්ථි බිඳීම් දෘඪතාව වැඩි වීම නිසා SiC හි ඉහළ MRR මතුපිට නිමාවක් ලබා ගැනීමට හැකි විය. ඉහළ වැඩ ෙකොටස් වේගය සහ උස් වූ ඇඹරුම් රෝදයේ ප්‍රවේගය සංයෝජනය කිරීමෙන් අධිවේගී සිලින්ඩරාකාර ඇඹරුම් ක්‍රියාවලියේදී නිරීක්ෂණය කරන ලද අදියර පරිවර්තනය අඩු කළ හැකිය.